标准型感应耦合等离子体刻蚀机(ICP)

详细描述

本设备具有选择比好,刻蚀速度快、重复性好等特点,它较RIE具有更好的综合刻蚀效果且应用范围更广。可刻蚀的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。

本设备主要用于微电子、光电子、通讯、微机等领域的器件研发和制造。


产品主要性能指标 


型号

ICP-2B

真空系统

分子泵机组

刻蚀室数量

单室

刻蚀室规格

ø300×280mm

电极尺寸

ø200mm

刻蚀材料

Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。

刻蚀速率

~4 μ/min (与刻蚀材料和工艺有关)

刻蚀不均匀性

≤±5%

深硅刻蚀控制单元

可选

操作方式

手动

 

本产品具有三种功能:等离子体刻蚀(PE)、反应离子刻蚀(RIE)、感应耦合等离子体刻蚀(ICP)。其刻蚀原理不尽相同,既有纯化学的,也有物理与化学相结合的模式。它既可以进行细线条(纳米)加工,又可以进行体加工。
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