标准型等离子体化学气相淀积台(PECVD-2D)

详细描述

本设备通过对工艺的有效控制,可获得较好的均匀性、粘附性以及较好的重复性,并广泛应用于相关领域的器件研发和制造。

 

产品主要性能指标


型号

PECVD-2D

真空系统

分子泵机组

淀积室数量

双室

淀积室规格

ø400×150mm

样片台尺寸

ø290mm(热均匀区ø220mm)

加热温度

≤ 300℃

淀积材料

SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、类金刚石等

淀积速率

200 ~300 Å/min (与淀积材料和工艺有关)

淀积不均匀性

≤ ±5%

操作方式

手动


                       

 

                                                                                                                                                                                                                

 

 

 

 

                                                      

本设备可用来淀积SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、类金刚石等多种薄膜材料,这些薄膜材料在微电子、微机械、光电子、通讯等领域有着广泛的应用;在能源材料、机械材料、各种无机材料及高分子材料的薄膜制备和表面改性中,也显示出独特的功能和巨大的潜力。
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