全自动型等离子体化学气相淀积台(PECVD-801)

详细描述

本设备通过对真空系统、工作压强、射频电源匹配、气体流量及工艺过程的全自动控制,使工艺重复性、稳定性、可靠性得到有效保证。

本设备的数字化参数界面和自动化操作方式为用户提供了优良的研发和生产平台。 

本产品通过软、硬件相互配合的互锁、智能监控、在线状态记忆、断点保护等设计,结合各种硬保护装置、使设备的安全性、可靠性得到有效保证。 

本设备主要用于微电子、光电子、通讯、微机械等领域的器件研发和制造,以及能源材料、机械材料,各种无机材料及高分子材料的薄膜制备和表面改性。


 产品主要性能指标


型号

PECVD-801

淀积室数量

单室

淀积室规格

ø400×150mm

样片台尺寸

ø290mm(热均匀区ø220mm)

加热温度

≤ 300℃

淀积材料

SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、类金刚石等

淀积速率

200 - 300 Å/min (与淀积材料和工艺有关)

淀积不均匀性

≤ ±5%

自动化程度

真空系统、下游压力闭环控制、射频电源、气体流量、工艺过程全自动化控制。

人机界面

Windows环境、触摸屏操作

操作方式

全自动方式、非全自动方式

自动化装置的选配

可选择进口件或国产件


本设备是“标准型等离子体化学气相淀积台(PECVD)”的全自动产品。用来淀积SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、类金刚石等多种薄膜材料,这些薄膜材料在微电子、微机械、光电子、通讯等领域有着广泛的应用;在能源材料、机械材料、各种无机材料及高分子材料的薄膜制备和表面改性中,也显示出独特的功能和巨大的潜力。
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