“刻蚀—溅射”组合机

产品主要性能指标

           

型号

JR-2B

真空系统

分子泵机组

刻蚀室规格

ø300×100mm

刻蚀电极尺寸

ø200mm

刻蚀材料

Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。

刻蚀速率

0.1 – 1 μ/min (与刻蚀材料和工艺有关)

刻蚀不均匀性

≤±5%

溅射室规格

ø450×360mm

溅射靶规格

ø80mm

溅射靶数量

1-4可选

溅射材料

AI、Au、Cr、Ti、Ni、Cu、W、SiO2、各种介质膜、金属膜、合金膜等。

溅射样片台加热温度

600℃

刻蚀不均匀性

≤±4%


“刻蚀–溅射”组合机(JR-2B)、“刻蚀–淀积”组合机(CVE-2B)、“刻蚀–淀积”组合机(ICV-500)和“溅射–淀积”组合机(JCV-2B)都是根据用户要求需设计的,就其功能和性能指标而言与溅射台、淀积台、刻蚀机都是相同的,其主要特点是省去了一套电源系统和真空获得系统,从而以相对优惠的价格满足不同用户的要求.

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