(带Load_Lock装置)全自动型感应耦合等离子体刻蚀机ICP-8000

    本设备采用PLC控制,触摸显示屏操作。其数字化参数界面和自动化操作方式为用户提供了优良的研发和生产平台。

设备通过对真空系统、下游压力闭环控制、射频电源、气体流量及工艺过程的自动控制,以及所具有的安全互锁、智能监控、在线状态记忆、断点保护等功能。从而获得较高的刻蚀速率,并能精确地控制图形的剖面。使设备的安全性、重复性、稳定性、可靠性得到有效保证。 

本设备主要用于微电子、光电子、通讯、微机械等领域的器件研发和制造。

 

产品主要性能指标

型号

ICP-2B

ICP-500

ICP-5100

真空系统

分子泵机组

进样室:机械泵系统;刻蚀室:分子泵机组

刻蚀室数量

单室

刻蚀室规格

ø300×280mm

电极尺寸

ø200mm

刻蚀材料

Poly-Si、SiSiO2Si3N4WMoGaNGaAs

刻蚀速率

0.1 – 1 μ/min (与刻蚀材料和工艺有关)

刻蚀不均匀性

≤±5%

深硅刻蚀控制单元

可选

 

自动化程度

 

真空系统、下游压力闭环控制、射频电源、气体流量、工艺过程全自动控制。

真空系统、机械手送/取样片、下游压力闭环控制、射频电源、气体流量、工艺过程全自动控制。

人机界面

 

Windows环境、触摸屏操作

操作方式

手动

全自动方式、非全自动方式

配套件选配

 

可选择进口件或国产件

本设备具有三种功能:等离子体刻蚀(PE)、反应离子刻蚀(RIE)、感应耦合等离子体刻蚀(ICP)。其刻蚀原理不尽相同,既有纯化学的,也有物理与化学相结合的模式。它既可以进行细线条(纳米)加工,又可以进行体加工(深刻蚀)。本设备具有选择比好,刻蚀速度快、重复性好等特点,它较RIE具有更好的综合刻蚀效果且应用范围更广。可刻蚀的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。
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