IBE-200Z离子束刻蚀机

详细描述

本产品采用口径φ200mm考夫曼型离子源,通过独特结构的双钼栅离子光学系统及SHAG技术保证在φ150mm范围内束流的均匀性为±5%,电子中和系统可使样片上的电荷积累为零。

本设备的刻蚀工作台可绕工作中心自转,离子束入射角可在0~90°之间任意调整。

本设备具有刻蚀速率稳定、均匀性好、重复性好等特点,可广泛应用于微电子、光电子、通讯等领域的器件研发和制造。

自动控制系统采用工控计算机及PLC控制、触摸显示屏操作,实现真空系统及工艺过程自动化。本机可选择全自动及非全自动模式。


产品主要性能指标

型号

IBE-200Z

真空系统

分子泵机组

刻蚀室数量

单刻蚀室

刻蚀室规格

435×406×490mm

工作台尺寸

Ø200mm(最大片径≤6英寸)

离子束入射角

0~90°之间任意调整

刻蚀速率

100Å~2000Å/min(与刻蚀材料和工艺有关)

刻蚀不均匀性

≤±5%

Ar+离子能量范围

100~1000eV,连续可调

离子束流密度

0~1mA/cm2,连续可调

有效离子束直径

≥ø100mm(屏栅极直径ø150mm)

电子中和

带有热丝结构的电子中和装置


本产品是利用低能量平行Ar+离子束对基片表面进行轰击,表面上未被掩膜覆盖部分的材料被溅射出,从而达到选择刻蚀的目的,它采用纯物理的刻蚀原理。离子束刻蚀是目前所有刻蚀方法中分辨率最高,陡真性最好的方法,它可以对所有材料进行刻蚀,例如:金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等。

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