“刻蚀—淀积”组合机
“刻蚀–溅射”组合机（JR-2B）、“刻蚀–淀积”组合机（CVE-2B）、“刻蚀–淀积”组合机（ICV-500）和“溅射–淀积”组合机（JCV-2B）都是根据用户要求需设计的，就其功能和性能指标而言与溅射台、淀积台、刻蚀机都是相同的，其主要特点是省去了一套电源系统和真空获得系统，从而以相对优惠的价格满足不同用户的要求.
产品主要性能指标
型号 | CVE-2B |
真空系统 | 分子泵机组 |
淀积室规格 | ø400×150mm |
淀积室样片台尺寸 | ø290mm（热均匀区ø220mm） |
淀积材料 | SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、类金刚石等。 |
淀积速率 | 200 - 300 Å/min （与淀积材料和工艺有关） |
淀积样片台加热温度 | 300℃ |
淀积不均匀性 | ≤ ±5% |
刻蚀室规格 | ø300×100mm |
刻蚀电极尺寸 | ø200mm |
刻蚀材料 | Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。 |
刻蚀速率 | 0.1 – 1 μ/min （与刻蚀材料和工艺有关） |
刻蚀不均匀性 | ≤±5% |
